时间：2025/6/9 18:41:55
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SI3585DV-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于需要高效功率转换的应用场景。其封装形式为热增强型 eSMP? 封装（TSSOP-8），适合表面贴装工艺。
这款 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电源管理以及便携式设备等应用中。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
总栅极电荷：27nC
输入电容：980pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TSSOP-8
SI3585DV-T1-E3 的主要特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使其在高电流应用中表现出较低的功耗和更高的效率。同时，它具有非常低的栅极电荷，有助于实现快速开关，从而减少开关损耗。此外，该器件具备出色的热性能，能够有效降低温度升高对性能的影响。
由于采用了先进的 TrenchFET? 技术，SI3585DV-T1-E3 可以在小尺寸封装内提供强大的电气性能。它的高雪崩能力和稳健的设计也确保了在各种严苛条件下的可靠性。
Vishay 提供了详细的规格书和技术支持文档，以帮助设计人员更好地将此器件集成到他们的系统中。
SI3585DV-T1-E3 广泛应用于消费电子、工业设备和通信领域。具体应用包括：
- DC-DC 转换器中的同步整流
- 开关电源中的高频开关
- 笔记本电脑及平板电脑的负载开关
- 汽车电子中的电机驱动控制
- 工业自动化中的电源管理模块
该 MOSFET 的高性能和紧凑封装使其成为许多高密度设计的理想选择。
SI3586DP, SI3584DP
