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SI3585DV-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/9 18:41:55 查看 阅读:18

SI3585DV-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效功率转换的应用场景。其封装形式为热增强型 eSMP? 封装(TSSOP-8),适合表面贴装工艺。
  这款 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电源管理以及便携式设备等应用中。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻(典型值):1.6mΩ
  总栅极电荷:27nC
  输入电容:980pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TSSOP-8

特性

SI3585DV-T1-E3 的主要特点是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使其在高电流应用中表现出较低的功耗和更高的效率。同时,它具有非常低的栅极电荷,有助于实现快速开关,从而减少开关损耗。此外,该器件具备出色的热性能,能够有效降低温度升高对性能的影响。
  由于采用了先进的 TrenchFET? 技术,SI3585DV-T1-E3 可以在小尺寸封装内提供强大的电气性能。它的高雪崩能力和稳健的设计也确保了在各种严苛条件下的可靠性。
  Vishay 提供了详细的规格书和技术支持文档,以帮助设计人员更好地将此器件集成到他们的系统中。

应用

SI3585DV-T1-E3 广泛应用于消费电子、工业设备和通信领域。具体应用包括:
  - DC-DC 转换器中的同步整流
  - 开关电源中的高频开关
  - 笔记本电脑及平板电脑的负载开关
  - 汽车电子中的电机驱动控制
  - 工业自动化中的电源管理模块
  该 MOSFET 的高性能和紧凑封装使其成为许多高密度设计的理想选择。

替代型号

SI3586DP, SI3584DP

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SI3585DV-T1-E3参数

  • 数据列表SI3585DV
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A,1.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫欧 @ 2.4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)600mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大830mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3585DV-T1-E3TR