SKT25F10 时间：2025/8/22 23:21:45 阅读：6

SKT25F10是一种功率场效应晶体管（Power MOSFET），广泛用于高功率开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各类高功率电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：25A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 0.045Ω
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-264

特性

SKT25F10具有多项优异性能，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备高耐压能力，漏源电压可达100V，适合中高压应用场景。此外，SKT25F10采用TO-264封装，具有良好的散热性能，能够承受较大的功率耗散（150W）。其高栅极绝缘能力（±20V Vgs）也增强了器件的可靠性和抗干扰能力。最后，SKT25F10具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行，适合工业级应用需求。
　　SKT25F10的开关特性也十分优异，具备快速开关能力，可有效减少开关损耗，提高整体系统性能。此外，其较低的栅极电荷（Qg）使得驱动电路设计更加简单，适用于高频开关应用。同时，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，能够承受一定的过压和过流冲击，提高了系统的鲁棒性。