T100805N 时间：2025/9/9 23:48:01 阅读：18

T100805N 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET，专为高效能功率转换应用设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力以及快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、马达控制以及工业自动化系统中的功率控制环节。T100805N采用先进的PowerMESH技术，提供更高的热稳定性和电流处理能力，确保在高负载条件下依然保持稳定性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：80A（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220、TO-247、D2PAK（具体封装可能因版本而异）

特性

T100805N MOSFET具备多项优异特性，使其适用于高功率密度和高效能应用。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提升了整体能效。其次，该器件具备出色的热性能，采用PowerMESH技术优化了内部结构，提高了散热能力，从而在高电流负载下仍能保持较低的工作温度。
　　此外，T100805N具备快速开关能力，其开关损耗较低，有助于提高功率转换效率并减少发热。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平控制，便于与各种控制器和驱动IC配合使用。器件内部还集成了一定程度的短路保护和过温保护功能，提升了系统稳定性与安全性。
　　该器件还具有优异的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，适用于要求高可靠性的工业和汽车电子应用。

应用

T100805N广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：
　　? DC-DC转换器与同步整流器
　　? 电源管理系统，尤其是高效率服务器电源和电信设备电源
　　? 电机控制与驱动电路
　　? 电池管理系统（BMS）与充放电控制电路
　　? 工业自动化与电机驱动器
　　? 不间断电源（UPS）与储能系统
　　由于其出色的导通性能和热稳定性，T100805N特别适用于需要高效率和高可靠性的电源设计，如服务器、工业设备和新能源系统中的功率开关。