时间：2025/5/12 20:54:20
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IPW60R041C6 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于 Infineon 的 CoolMOS 系列。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，非常适合于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率转换应用。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-Leadless (TOLL)，有助于提高散热效率并减小系统尺寸。
型号：IPW60R041C6
类型：P 沟道 MOSFET
工作电压（Vds）：600 V
导通电阻（Rds(on)）：41 mΩ（典型值，25°C 时）
电流（Id）：9.6 A
栅极电荷（Qg）：38 nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1320 pF（典型值）
输出电容（Coss）：145 pF（典型值）
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-Leadless (TOLL)
IPW60R041C6 提供了多种优势以满足现代功率电子设备的需求：
1. 高效的能量转换得益于其低导通电阻设计，可显著降低传导损耗。
2. 出色的开关性能源于较低的栅极电荷，从而减少了开关过程中的能量损失。
3. 支持高频操作，适合用于各种类型的开关电源和转换器。
4. 优化的热阻抗设计使得器件在高负载条件下依然能够保持良好的散热表现。
5. 强大的雪崩能力增强了器件在异常条件下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，确保环境友好型使用。
IPW60R041C6 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器设计。
2. DC-DC 转换器，包括降压、升压以及升降压拓扑。
3. 工业电机控制和逆变器。
4. 太阳能微型逆变器和储能系统。
5. 各种需要高效功率转换的家电和消费电子产品。
6. LED 驱动器和照明解决方案。
IPB60R041C6, IPW60R084C6
