类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：60V
　　连续漏极电流(ID)：110A
　　导通电阻(RDS(on))：最大6.5mΩ（典型值5.8mΩ）
　　栅极电荷(Qg)：约140nC
　　封装类型：D2PAK（表面贴装）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　短路耐受能力：有
　　符合RoHS标准：是

SKT110F06DTH1采用了先进的沟槽栅技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其低RDS(on)特性使得在高电流应用中温升更小，提升了器件的可靠性。
　　该MOSFET具有良好的热管理能力，D2PAK封装具备优良的散热性能，适用于高温环境下的稳定运行。同时，该器件具备较高的短路耐受能力，能够在极端条件下提供一定程度的保护，避免因过载而导致的损坏。
　　此外，SKT110F06DTH1具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，如同步整流、电源转换模块等。其栅极驱动特性优化，降低了开关损耗，同时提高了整体系统的能效。
　　在可靠性方面，该器件经过严格的测试和验证，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。

SKT110F06DTH1广泛应用于各类高功率密度电源系统中，例如服务器电源、电信设备电源、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）、电动汽车充电模块等。
　　在电机控制领域，该器件可作为H桥驱动的核心开关元件，用于高效控制直流电机或步进电机的运行。由于其高电流能力和低导通损耗，特别适用于需要频繁启停或大负载变化的场合。
　　此外，SKT110F06DTH1也可用于DC-DC转换器中的同步整流电路，显著提升转换效率。在储能系统中，该器件用于电池充放电管理电路，确保系统的稳定性和安全性。

STL110N6F7, IPB110N06S4-03, IRFB4110, FDD110N65B, SKT110F06DTH1的引脚兼容型号包括SKT110F06DTH1R、SKT110F06DLH1等，具体需根据应用需求进行选择。