SKRHABE010是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
型号:SKRHABE010
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
总功耗(Ptot):180W
工作温度范围(Ta):-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
SKRHABE010具有非常低的导通电阻,这有助于减少传导损耗,特别适合高电流应用环境。此外,它还拥有优秀的开关性能,能够在高频条件下保持较低的开关损耗。
该器件采用坚固的TO-247封装,提供了良好的散热性能,并且在极端温度范围内仍能稳定运行。其高耐压和大电流能力使其非常适合于工业级和汽车级应用。
由于采用了优化设计,SKRHABE010还具备较强的抗静电能力(ESD),从而提高了系统的可靠性。
这款功率MOSFET适用于各种高效率、大电流的应用场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 汽车电子系统中的电池管理与保护。
5. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)等新能源领域。
IRFB4110, FDP5510