时间：2025/8/29 18:54:44
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SIR383C 是 Vishay Semiconductors 生产的一款 P 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于多种电源管理应用，具备高性能和可靠性。SIR383C 采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗，提高系统效率。它通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及便携式设备的电源管理部分。该 MOSFET 封装为 8 引脚 SOIC，适合表面贴装，便于自动化生产。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：-30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-4.1A
导通电阻 Rds(on)：38mΩ @ Vgs = -10V；52mΩ @ Vgs = -4.5V
功率耗散（Pd）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：8 引脚 SOIC
SIR383C 具备多项优良特性，适合高性能电源管理应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在 -10V 栅极电压下仅为 38mΩ，显著降低了导通损耗，提高了能效。其次，该器件支持高达 -4.1A 的连续漏极电流，能够满足中高功率应用的需求。此外，SIR383C 的栅极驱动电压范围较广，在 -4.5V 至 -10V 之间均可有效工作，增加了设计灵活性。该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，采用 8 引脚 SOIC 封装，具有较高的散热性能，可在高温环境下稳定运行。SIR383C 的雪崩能量等级较高，具备较强的过压和过流耐受能力，提高了系统的可靠性。此外，该器件的开关速度快，适合高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提升整体设计的紧凑性。
在制造工艺方面，SIR383C 采用 Vishay 的沟槽 MOSFET 技术，使得芯片结构更紧密，电流传导效率更高。该工艺还优化了器件的温度系数，使其在不同工作温度下仍能保持稳定的性能。SIR383C 符合 RoHS 环保标准，适合用于现代电子设备中。该 MOSFET 还具备良好的抗静电能力，增强了在复杂电磁环境中的稳定性。综上所述，SIR383C 是一款性能优异、可靠性高的功率 MOSFET，适用于多种电源管理和功率控制场景。
SIR383C 主要用于各类电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等。它也广泛应用于便携式电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电池管理系统。此外，该 MOSFET 可用于工业自动化设备、电机驱动器和 LED 照明控制电路。由于其良好的热稳定性和抗过载能力，SIR383C 也适用于高可靠性要求的汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块等。
Si4435BDY, IRML2803, AO4406A, FDS6680
