时间：2025/8/4 16:42:30
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SET040311 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理和功率开关应用而设计，具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性。SET040311 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：110A（在 25°C 下）
导通电阻（Rds(on)）：3.1mΩ（最大，在 Vgs=10V）
功耗（Ptot）：160W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6
SET040311 采用先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于大功率应用，例如工业电源、服务器电源和电动汽车的电池管理系统。
此外，SET040311 的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间工作，兼容多种驱动电路设计。其高耐压能力（Vds 为 30V）确保了在高压环境下稳定运行。
该器件还具备良好的热稳定性，得益于其低热阻（Rth）设计，能够在高负载条件下保持较低的工作温度，延长使用寿命。封装形式为 PowerFLAT 5x6，提供良好的散热性能，并且节省空间，适用于高密度 PCB 布局。
SET040311 具备快速开关能力，减少了开关损耗，有助于提高整体系统的能效。同时，其内置的体二极管具备良好的反向恢复特性，适用于高频开关应用。
SET040311 主要应用于各类电源管理系统中，包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及电动工具等。此外，它也广泛用于服务器电源、电信设备和电动汽车中的功率控制电路中，确保高效稳定的能量传输。
STL110N3LLF, STD110N3LLF, IRF110N3LLF
