时间：2025/12/26 9:06:20
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AL9910AS-13是一款由Diodes Incorporated（达尔科技）生产的高压、高电流半桥栅极驱动器，专为驱动功率MOSFET和IGBT等功率器件而设计。该芯片广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动以及照明镇流器等需要高效功率控制的场合。AL9910AS-13采用先进的高压电平位移技术和CMOS/BCD工艺制造，能够在恶劣的工作环境下提供稳定可靠的性能。其内置的死区时间控制功能可有效防止上下桥臂直通短路，从而提高系统的安全性和效率。此外，该器件还具备过温保护、欠压锁定（UVLO）等多种保护机制，进一步增强了系统运行的可靠性。
AL9910AS-13封装形式为SOIC-8，符合工业标准的引脚排列，便于PCB布局与散热管理。它支持高达400V的高压侧浮动电源电压，并能提供峰值达250mA的拉电流和350mA的灌电流能力，适用于高频开关应用。输入逻辑兼容TTL/CMOS电平，方便与微控制器或PWM控制器直接接口。由于其高度集成的设计，外部元件数量被大幅减少，有助于降低整体系统成本并提升功率密度。
型号：AL9910AS-13
制造商：Diodes Incorporated
封装/包装：SOIC-8
通道类型：半桥驱动器
输出类型：高低边
供电电压（VDD）：10V ~ 20V
高压侧偏置电压（VB）：最高400V
逻辑输入电压兼容性：TTL/CMOS
峰值输出电流（拉/灌）：250mA / 350mA
传播延迟时间：典型值150ns
上升时间（典型值）：50ns
下降时间（典型值）：30ns
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
死区时间：内置防直通设计
隔离电压：>1500Vrms（封装特性）
输入反相功能：支持
保护功能：欠压锁定（UVLO），过温保护
AL9910AS-13的核心特性之一是其高压电平位移技术，使其能够有效地在高侧浮动电源下工作，支持高达400V的VB电压，适用于各种中高压功率转换场景。该技术通过内部电平移位电路将低压控制信号准确传递至高压侧输出级，确保上下桥臂驱动信号的同步性和稳定性。这种设计不仅提高了系统的抗干扰能力，还能在快速开关过程中保持良好的信号完整性。同时，芯片内部集成了自举二极管，简化了外部电路设计，减少了额外组件的需求，提升了整体系统的紧凑性与可靠性。
另一个关键特性是其强大的输出驱动能力。AL9910AS-13提供最高250mA的源电流和350mA的汇电流，足以快速充放电功率MOSFET的栅极电容，显著降低开关损耗，提升转换效率。这对于高频工作的电源系统尤为重要，因为较高的驱动电流可以缩短开关过渡时间，减少交叉导通期间的能量损失。此外，优化的驱动阻抗匹配也有助于抑制电压振铃和电磁干扰（EMI），从而改善整体EMC性能。
该器件还内置了完善的保护机制。欠压锁定（UVLO）功能确保只有在电源电压达到安全操作范围后才允许输出工作，避免因电压不足导致的误动作或器件损坏。当检测到芯片温度过高时，过温保护会自动关闭输出，防止热失控造成永久性损伤。这些保护功能极大地提升了系统在异常工况下的鲁棒性，尤其适合长期连续运行的工业设备。此外，AL9910AS-13具备精确的死区时间控制，防止上下管同时导通引发的“shoot-through”现象，进一步保障功率桥的安全切换。
AL9910AS-13常用于各类需要半桥拓扑结构的电力电子系统中。典型的应?包括AC-DC开关电源（如适配器、充电器）、DC-DC变换器（特别是LLC谐振转换器）、光伏逆变器、LED驱动电源以及小型电机驱动控制系统。在这些应用中，AL9910AS-13作为核心驱动单元，负责接收来自PWM控制器的低电平信号，并将其转换为适合驱动高功率MOSFET或IGBT的高电流脉冲信号。其高压侧浮动能力使其特别适用于连接在母线电压较高的上桥臂器件驱动，满足现代高效能电源对小型化、高效率和高可靠性的要求。
在照明领域，AL9910AS-13可用于电子镇流器或高强度气体放电灯（HID）驱动电路中，提供稳定的高频开关驱动信号，以实现高效的能量转换和灯光控制。在电机控制方面，该芯片可用于家用电器中的风扇、压缩机或小型工业电机的驱动模块，配合微控制器实现精确的速度调节和软启动功能。此外，在新能源相关设备如太阳能微型逆变器或储能系统中，AL9910AS-13也能发挥重要作用，支持高频软开关拓扑如LLC或移相全桥，帮助提升整体系统效率和功率密度。得益于其宽温工作范围和坚固的保护机制，该器件也适用于环境条件较为严苛的工业现场应用。
AL9910A, IRS2106S, IR2110, UCC27531, HIP4081A
