SKR2F50/14 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的功率MOSFET晶体管,采用先进的技术设计,适用于高频率开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性,是工业电源、马达控制、逆变器和电池管理系统等应用中的理想选择。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):500V
漏极电流(Id):14A
导通电阻(Rds(on)):约0.36Ω(典型值)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
SKR2F50/14 具有多种关键特性,使其在高性能功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,从而提高了系统的整体效率。这对于高频率开关应用尤其重要,因为导通损耗通常是功率损耗的主要来源。此外,该器件具有较高的耐压能力,漏源电压可达500V,因此适用于高压环境中的开关操作。
其次,SKR2F50/14 的封装形式为 TO-220,具备良好的散热性能,有助于在高电流条件下维持稳定的工作温度。热稳定性是功率MOSFET设计中的一个关键因素,尤其在高负载条件下,良好的散热可以防止热失控并延长器件寿命。
另外,该MOSFET的栅极阈值电压范围适中(2V至4V),使得其可以与多种驱动电路兼容,包括常见的微控制器和栅极驱动IC。这使得设计者可以灵活选择驱动方案,而不必担心驱动电压不匹配的问题。
最后,SKR2F50/14 还具备快速开关能力,能够有效减少开关损耗,提高系统的工作效率。这一特性在开关电源、DC-DC转换器和逆变器等应用中尤为重要。
SKR2F50/14 常用于多种功率电子系统中。其典型应用包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、逆变器、UPS系统、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备。在开关电源中,该器件可作为主开关元件,用于高效转换和调节电压。在电机驱动应用中,SKR2F50/14 可用于实现高效的H桥结构,控制电机的转向和速度。此外,由于其高耐压能力和良好的热稳定性,它也常用于太阳能逆变器和电动车电池管理系统等高要求的工业和汽车电子系统。
STP12NK50Z, IRF540N, FDPF5N50