时间：2025/7/12 1:04:38
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IPP039N04LG是Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TRENCHSTOP?技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于要求高性能和高可靠性的应用场合。其封装形式为TO-263（D2PAK），适合表面贴装工艺。
IPP039N04LG主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率管理的场景。由于其优异的电气特性和热性能，这款MOSFET被广泛用于工业、消费电子以及汽车领域。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：17A
导通电阻：3.9mΩ
栅极电荷：39nC
输入电容：1820pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-263
IPP039N04LG具备多种突出特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为3.9mΩ，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高效的TRENCHSTOP?技术确保了较低的开关损耗和更优的热性能。
3. 栅极电荷较小，有助于减少开关过程中能量损失，并提升动态性能。
4. 具有良好的热稳定性，可在高达175°C的结温下正常工作。
5. 封装兼容性强，支持自动化的表面贴装技术，便于大批量生产。
6. 提供出色的EMI表现，减少了对外部滤波元件的需求。
IPP039N04LG适合以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器和充电器。
2. 各类DC-DC转换器，例如降压或升压电路。
3. 电机驱动器中的功率级控制。
4. 汽车电子设备中的负载切换和电池保护。
5. 工业自动化系统的功率管理模块。
6. 能量回收和再生制动系统中的功率调节单元。
IPP045N04L, IPP050N04L
