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SI4948EY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/9 18:46:39 查看 阅读:20

SI4948EY-T1-E3 是一款基于硅工艺制造的射频开关芯片,由 Skyworks Solutions 公司生产。该芯片主要用于射频信号的切换,广泛应用于移动通信设备中,如智能手机、平板电脑和无线通信模块。它支持高达 3 GHz 的频率范围,具备低插入损耗和高隔离度的特性,能够显著提升射频系统的性能。
  SI4948EY-T1-E3 属于 SP6T(单刀六掷)开关类型,可实现六个不同射频路径的选择。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景。

参数

工作频率范围:DC 至 3000 MHz
  插入损耗:0.7 dB(典型值,@ 900 MHz)
  隔离度:28 dB(最小值,@ 900 MHz)
  VSWR:1.4:1(最大值)
  电源电压:2.7 V 至 5.5 V
  静态电流:500 nA(典型值)
  封装形式:WLCSP-20
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

SI4948EY-T1-E3 提供了卓越的射频性能和可靠性,以下是其主要特性:
  1. 高达 3 GHz 的宽频率覆盖范围,适用于多种射频应用。
  2. 超低插入损耗和高隔离度,确保信号传输质量。
  3. 支持 1.8V 和 2.8V 控制逻辑,兼容各种系统架构。
  4. 内置 ESD 保护功能,增强芯片的鲁棒性。
  5. 小尺寸 WLCSP 封装,适合紧凑型设计需求。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料制造。
  7. 可靠的开关速度和线性度,满足高速数据传输的要求。

应用

SI4948EY-T1-E3 广泛应用于以下领域:
  1. 智能手机和蜂窝通信设备中的天线切换。
  2. LTE 和 5G 移动通信基站的射频前端模块。
  3. 无线通信模块和物联网 (IoT) 设备。
  4. GPS 和导航系统中的信号切换。
  5. 工业和医疗设备中的射频控制单元。
  6. 蓝牙和 Wi-Fi 模块中的多频段切换解决方案。

替代型号

SI4948DE-T1-E3
  SKY13340-11
  RF5226

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SI4948EY-T1-E3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流3.1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)120 mOhms
  • 配置Dual
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
  • 封装Reel
  • 下降时间12 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2.4 W
  • 上升时间10 ns
  • 工厂包装数量2500
  • 典型关闭延迟时间35 ns
  • 零件号别名SI4948EY-E3