SKN4F45是一种N沟道增强型功率MOSFET,常用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面技术,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。SKN4F45广泛应用于电源管理、电机控制、照明系统和工业自动化等领域。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):450V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):4A
功率耗散(Pd):50W
导通电阻(Rds(on)):≤2.5Ω
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TO-220
SKN4F45是一款高性能的功率MOSFET,具有多项突出的电气和物理特性。首先,它的漏源电压(Vds)达到450V,使其适用于高压应用,如开关电源和电机控制。其栅源电压(Vgs)为±20V,具有较高的栅极耐压能力,确保在复杂环境中稳定工作。
其次,该MOSFET的导通电阻(Rds(on))低于2.5Ω,有助于减少导通损耗,提高系统效率。在连续漏极电流(Id)方面,SKN4F45支持高达4A的电流,适合中高功率的开关控制应用。此外,其最大功率耗散为50W,具备良好的热性能,可在较高温度环境下运行。
SKN4F45采用TO-220封装,具备良好的散热性能,便于安装在标准散热器上。这种封装形式在工业和消费类电子产品中广泛使用,易于集成到各种电路设计中。同时,该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,表现出良好的耐热性和环境适应性,适合在各种恶劣条件下稳定运行。
SKN4F45广泛应用于多个领域,主要包括开关电源、直流电机控制、LED照明驱动、工业自动化设备和家用电器。其高电压和高电流能力使其成为各种高功率开关电路的理想选择。
SKN3F45, SKN5F45, IRF740, FQP4N40