时间：2025/8/22 18:09:06
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SKN4F45是一种N沟道增强型功率MOSFET，常用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。SKN4F45广泛应用于电源管理、电机控制、照明系统和工业自动化等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：450V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4A
功率耗散(Pd)：50W
导通电阻(Rds(on))：≤2.5Ω
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-220
SKN4F45是一款高性能的功率MOSFET，具有多项突出的电气和物理特性。首先，它的漏源电压（Vds）达到450V，使其适用于高压应用，如开关电源和电机控制。其栅源电压（Vgs）为±20V，具有较高的栅极耐压能力，确保在复杂环境中稳定工作。
其次，该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）低于2.5Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。在连续漏极电流（Id）方面，SKN4F45支持高达4A的电流，适合中高功率的开关控制应用。此外，其最大功率耗散为50W，具备良好的热性能，可在较高温度环境下运行。
SKN4F45采用TO-220封装，具备良好的散热性能，便于安装在标准散热器上。这种封装形式在工业和消费类电子产品中广泛使用，易于集成到各种电路设计中。同时，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，表现出良好的耐热性和环境适应性，适合在各种恶劣条件下稳定运行。
SKN4F45广泛应用于多个领域，主要包括开关电源、直流电机控制、LED照明驱动、工业自动化设备和家用电器。其高电压和高电流能力使其成为各种高功率开关电路的理想选择。
SKN3F45, SKN5F45, IRF740, FQP4N40
