时间：2025/8/9 11:52:01
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FMR23N60E是一款高压高功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET具有高耐压能力，通常可承受高达600V的漏源电压（Vds），适用于开关电源、逆变器、电机驱动器等高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
最大连续漏极电流（Id）：23A（在25°C下）
导通电阻（Rds(on)）：约0.18Ω（典型值）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220或TO-3P
FMR23N60E MOSFET采用先进的平面技术制造，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，从而减少了功率损耗并提高了效率。该器件的栅极驱动设计优化，使其在高频率下也能保持稳定的性能。此外，FMR23N60E具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持可靠运行。
其高耐压能力使其适用于各种高电压应用，如工业电源、LED照明驱动器和家电电机控制。该MOSFET的封装设计有助于散热，确保长时间工作时的热管理。此外，该器件的开关速度快，适用于高频开关电路，有助于减小电源系统的体积并提高整体效率。
从电气特性来看，FMR23N60E具有较低的跨导（Gfs），确保在各种负载条件下都能保持稳定的导通性能。此外，其具备较强的短路耐受能力，适合在高应力环境下使用。
FMR23N60E常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、UPS系统、LED照明电源、工业自动化设备以及家电控制电路等应用场景。
FQA24N60C、IRFGB40N60HD、FGA25N60SMD、STF22N60DM2
