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MTP60N06HD 发布时间 时间:2025/6/21 10:51:36 查看 阅读:5

MTP60N06HD是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件适用于高效率开关应用,如DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和电源管理模块等。其设计优化了导通电阻和栅极电荷参数,能够提供高效的功率切换性能。
  MTP60N06HD采用了TO-220封装形式,具有良好的散热性能,使其在高温环境下也能稳定运行。此外,它支持高达60V的漏源电压,可以处理较大的电流负载。

参数

最大漏源电压:60V
  最大漏极电流:18A
  典型导通电阻:0.05Ω
  栅极电荷:15nC
  功耗:115W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

1. 低导通电阻确保高效能量传输和较低的发热。
  2. 高速开关能力,适用于高频应用。
  3. 内置反向二极管,减少外部元件需求。
  4. TO-220封装易于安装且散热性能优良。
  5. 支持宽范围的工作温度,适合工业和汽车环境。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。

应用

1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
  2. 电动工具及家用电器的电机控制。
  3. 电池充电器和保护电路。
  4. 工业自动化设备中的功率开关。
  5. 汽车电子系统,如启动马达和继电器驱动。
  6. 各类负载开关和逆变器应用。

替代型号

IRF540N, STP60NF06L, FQP50N06L

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