MTP60N06HD是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件适用于高效率开关应用,如DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和电源管理模块等。其设计优化了导通电阻和栅极电荷参数,能够提供高效的功率切换性能。
MTP60N06HD采用了TO-220封装形式,具有良好的散热性能,使其在高温环境下也能稳定运行。此外,它支持高达60V的漏源电压,可以处理较大的电流负载。
最大漏源电压:60V
最大漏极电流:18A
典型导通电阻:0.05Ω
栅极电荷:15nC
功耗:115W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
1. 低导通电阻确保高效能量传输和较低的发热。
2. 高速开关能力,适用于高频应用。
3. 内置反向二极管,减少外部元件需求。
4. TO-220封装易于安装且散热性能优良。
5. 支持宽范围的工作温度,适合工业和汽车环境。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
2. 电动工具及家用电器的电机控制。
3. 电池充电器和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率开关。
5. 汽车电子系统,如启动马达和继电器驱动。
6. 各类负载开关和逆变器应用。
IRF540N, STP60NF06L, FQP50N06L