SKN136F08 时间：2025/8/23 17:05:47 阅读：6

SKN136F08 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用了先进的平面条形工艺制造，具备低导通电阻、高耐压能力和优良的热稳定性，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统等多种应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：80V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：130A
　　导通电阻(Rds(on))：8mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-247

特性

SKN136F08 MOSFET具有多个显著的性能特点，首先是其非常低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时仅为8mΩ，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件的漏源电压额定值为80V，能够在较宽的电压范围内稳定工作，适用于多种中高功率应用。栅源电压范围为±20V，具备较强的抗过压能力，确保了在复杂电磁环境中工作的稳定性。
　　此外，SKN136F08采用TO-247封装形式，具备良好的热管理和散热性能，有助于在高电流负载下维持较低的工作温度，从而提高整体系统的可靠性。其连续漏极电流可达130A，满足大功率开关和电机驱动的需求。器件的工作温度范围为-55°C至+175°C，适应各种恶劣的工作环境，包括工业控制、汽车电子和消费类电子产品。

应用

SKN136F08 MOSFET适用于多种高功率和高效率的电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高电流能力和良好的热稳定性，该器件也常用于电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等新能源领域。
　　在汽车电子方面，SKN136F08可用于车载电源管理系统、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和DC-AC逆变器等应用。在消费类电子产品中，它也广泛应用于大功率适配器、高功率LED驱动器以及智能家电中的功率控制部分。