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PJP75N75 IC 发布时间 时间:2025/8/14 3:17:20 查看 阅读:6

PJP75N75 是一款由 Power Integrations 生产的高压功率集成电路(HVIC),主要用于离线式开关电源设计。这款 IC 内置高压 MOSFET 和控制器,适用于反激式、正激式等拓扑结构的电源转换器。PJP75N75 的设计旨在提高电源效率,同时简化电路设计,减少外围元件数量,适合用于家电、工业控制、LED 照明等领域的电源系统。

参数

功率类型:MOSFET + 控制器集成
  工作电压:90 VAC 至 265 VAC
  最大输出功率:75 W
  开关频率:66 kHz(典型值)
  封装类型:DIP-8
  启动电压:12 V
  工作温度范围:-40°C 至 150°C

特性

PJP75N75 具备多项先进特性,以提升电源系统的性能和可靠性。首先,其内置的 MOSFET 可承受高达 725 V 的电压,确保在各种输入电压条件下稳定运行。该 IC 采用优化的 PWM 控制策略,能够在宽负载范围内维持高转换效率。
  其次,PJP75N75 集成了多种保护功能,包括过载保护(OLP)、过热保护(OTP)、过压保护(OVP)以及欠压锁定(UVLO),有效防止异常工况对电源系统的损坏。这些保护机制可以显著提高系统的安全性和使用寿命。
  此外,PJP75N75 支持节能模式,在轻载或空载状态下自动降低功耗,满足现代电源设备对低待机功耗的需求。该器件的集成度高,减少了外部元件数量,降低了设计复杂度和制造成本,适用于多种应用场合。

应用

PJP75N75 主要应用于需要高效、小型化和高可靠性的电源系统中。典型应用包括适配器、充电器、LED 照明驱动电源、家用电器电源模块、工业控制电源以及智能电表等。由于其宽输入电压范围和内置保护功能,PJP75N75 特别适合用于全球通用电源的设计。

替代型号

TOP266EG, VYNC3260G, UCC28910

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