制造商：Semikron
　　系列：SKM
　　晶体管类型：IGBT
　　配置：双封装（Dual）
　　额定集电极电流（Ic）：600A
　　额定电压（VCES）：1200V
　　导通压降（VCE_sat）：约2.1V（典型值，@Ic=600A）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：模块型（Module）
　　安装类型：螺钉安装
　　绝缘等级：符合UL标准

SKM600GAL125D 模块具备多项优异性能，使其适用于高功率密度和高可靠性要求的应用。首先，其双封装结构允许在一个模块内集成两个IGBT器件和对应的反向二极管，从而简化了电路布局并提高了系统集成度。该模块的额定集电极电流为600A，最大集射极电压为1200V，适合中高压功率转换应用。
　　其次，模块采用了先进的IGBT芯片技术，具有较低的导通压降（VCE_sat）和开关损耗，有助于提高系统的整体效率，并减少散热需求。此外，该模块的热阻较低，具备良好的散热性能，能够在高负载条件下稳定运行。
　　在可靠性方面，SKM600GAL125D 设计符合行业标准，并具备优异的抗热疲劳能力和机械强度，适用于频繁开关和高温环境。模块的封装材料也具有良好的绝缘性能和耐候性，确保在恶劣工业环境中的长期稳定性。
　　最后，该模块支持多种安装方式，便于在不同系统中灵活使用，并且兼容主流的功率模块驱动电路，方便工程师进行系统设计和优化。

SKM600GAL125D 适用于多种高功率电子系统，如工业变频器、电机驱动器、UPS不间断电源、风力发电变流器、光伏逆变器以及电能质量调节装置。由于其高电流容量和优良的热管理性能，该模块特别适合用于需要高可靠性和高效率的电力电子变换系统。此外，该模块还可用于电动汽车充电设备、轨道交通牵引系统以及智能电网中的功率调节单元。

SKM600GBL12T4V1, SKM75GB12T4, SKM800GBL12T4