时间：2025/8/22 18:59:08
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SKM200GAL121D 是由富士电机（Fuji Electric）生产的一款IGBT模块，广泛应用于工业电力电子设备中，如变频器、伺服驱动器和不间断电源（UPS）等。该模块具备高可靠性和优异的热性能，适用于高功率密度设计。
类型：IGBT模块
额定电流：200A
额定电压：1200V
拓扑结构：半桥（Half Bridge）
芯片技术：富士第四代IGBT芯片
短路耐受能力：典型值6μs
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装形式：双列直插式（Dual-in-line Package）
绝缘材料：陶瓷基板
热阻（Rth）：约0.35°C/W（典型值）
SKM200GAL121D 具备多项先进特性，包括高电流密度、低导通压降和出色的短路耐受能力。其采用富士电机第四代IGBT芯片技术，实现了更低的开关损耗和更高的效率。模块内部采用优化的热设计，提高了散热性能，从而延长了模块的使用寿命。此外，该模块具备良好的绝缘性能，能够承受高电压冲击，适用于严苛的工业环境。
在封装方面，SKM200GAL121D 采用双列直插式封装结构，便于安装和维护。其陶瓷基板提供了良好的导热性和绝缘性能，有助于提高模块的热稳定性。模块还具备较高的机械强度，能够抵抗振动和冲击，确保长期稳定运行。
此外，SKM200GAL121D 的设计考虑了EMI（电磁干扰）优化，减少了对外部电路的影响，提高了系统的整体稳定性。该模块适用于多种拓扑结构，包括半桥、全桥和三相逆变器等，具备广泛的应用适应性。
SKM200GAL121D 主要用于工业自动化设备、电机驱动器、伺服系统、可再生能源系统（如太阳能逆变器）和不间断电源（UPS）等高功率应用。其高可靠性和优异的热管理能力使其成为工业电力电子设备的理想选择。
SKM200GB12T4、SKM200GB121D、SKM200GAL126D
