工作频率：2.1 GHz
　　最大输出功率：750 W
　　漏极电压：65 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：螺栓式法兰封装
　　输入阻抗：50Ω
　　增益：约18 dB
　　效率：超过65%

CXP750010-174S采用GaN-on-SiC技术，提供了卓越的热导性能和高功率处理能力，使其在高频段仍能保持稳定的工作状态。其高击穿电压特性允许器件在高压下工作，同时降低了失效率。此外，该晶体管具有较高的线性度和低失真，适用于需要高信号完整性的无线通信应用。器件的封装设计有助于散热，提高了在高功率运行时的可靠性，延长了使用寿命。
　　该晶体管的高效率特性使其在基站和雷达系统中具有较低的运行成本，同时也减少了冷却系统的需求，降低了整体系统的复杂性。其高稳定性和耐用性也使其成为军用和工业应用的理想选择。此外，CXP750010-174S在宽频率范围内表现出色，可以适应多种通信标准和调制方式，如4G LTE和5G NR。
　　由于采用先进的半导体材料，CXP750010-174S能够在高温环境下保持稳定工作，具备出色的抗热疲劳能力。这使得它在没有复杂冷却系统的应用中也能可靠运行，提高了系统的灵活性和部署能力。此外，该器件的高耐用性减少了因更换或维修带来的停机时间，提高了系统的可用性。

CXP750010-174S广泛用于无线通信基础设施，如4G和5G基站的功率放大器模块，也可用于雷达系统、测试设备、广播发射机和其他高功率射频应用。其高效能和高稳定性使其在军事和工业领域中也得到了广泛应用，如电子战系统和高功率微波设备。

CXP750010-174S的替代型号包括CXP750010-174和CXP750010-174R。如果需要更高功率或不同频率范围的器件，可以考虑Cree/Wolfspeed的其他GaN功率晶体管，如CGH40010F、CGH40025F或CGH40050F。