时间：2025/8/25 6:36:39
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90N10 是一款N沟道功率MOSFET，广泛用于高电流、高功率的开关电源和功率放大电路中。该器件采用先进的工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，适合于DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（Vds）：100V
最大栅极电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：90A
导通电阻（Rds(on)）：约5.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
90N10 MOSFET具备多个优异特性，适用于高功率应用。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的最大漏极电压为100V，能够承受较高的电压应力，适合在中高压环境下使用。此外，90N10的最大连续漏极电流可达90A，适用于高电流应用场景。
该MOSFET采用先进的封装技术，具有良好的热管理性能，确保在高负载下仍能保持稳定运行。其工作温度范围宽，可在-55°C至175°C之间正常工作，适用于严苛的工业和汽车电子环境。栅极电压容限为±20V，提供了更高的驱动灵活性和稳定性。
此外，90N10具有快速开关特性，能够减少开关损耗，提高系统响应速度。该器件的可靠性高，抗静电能力强，适用于各种高要求的功率电子系统。
90N10 MOSFET主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备。其高电流和高耐压特性也使其适用于电动汽车和新能源系统中的功率管理模块。
IRF1404, STP90N10F7, FDP90N10
