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SKM200GAH123DKLT 发布时间 时间:2025/8/22 18:48:28 查看 阅读:11

SKM200GAH123DKLT是一款由SEMIKRON(赛米控)公司制造的IGBT模块,广泛用于高功率应用中。该模块结合了IGBT(绝缘栅双极晶体管)和反并联二极管,适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。其设计考虑了热管理和电气性能,适合在高温和高电流条件下运行。

参数

类型:IGBT模块
  集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):200A
  最大工作温度:150°C
  封装类型:双列直插式(Dual)
  结构:半桥拓扑结构
  二极管配置:反并联二极管集成
  短路耐受能力:有
  工作温度范围:-40°C至150°C

特性

SKM200GAH123DKLT模块具备优异的电气和热性能。其高击穿电压和额定电流使其适用于高功率密度设计。模块采用赛米控的SKiiP技术,提供高集成度和增强的可靠性。热管理方面,模块的基板设计能够有效散热,从而延长使用寿命并提高系统稳定性。此外,该模块具备良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受过载和短路情况,确保系统的安全运行。SKM200GAH123DKLT还具有低导通压降和开关损耗,有助于提高能效并减少热量产生。其双列直插式封装便于安装和维护,适用于各种电力电子设备。模块的半桥拓扑结构可以用于构建多种功率转换电路,如逆变器、变频器和电机驱动器。

应用

SKM200GAH123DKLT适用于多种高功率电力电子系统,包括工业电机驱动、逆变器、变频器、电焊设备和可再生能源系统(如太阳能逆变器)。由于其高可靠性和优异的热管理能力,该模块也广泛应用于电动汽车充电设备和轨道交通系统中的电力转换装置。

替代型号

SKM200GB123DE, SKM200GB123DH, SKM200GAH123D

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