H27UCG8U5ATR是一款由SK Hynix(海力士)公司生产的NAND闪存芯片。这款芯片主要用于嵌入式系统和存储设备,提供高容量的非易失性存储解决方案。H27UCG8U5ATR采用TSSOP封装,适用于各种消费类电子产品和工业应用。这款NAND闪存芯片具有高可靠性和高性能,适用于需要大容量存储的应用场景。
容量:8GB
封装类型:TSSOP
接口类型:ONFI 2.3
电压:3.3V
读取速度:高达50MB/s
写入速度:高达20MB/s
擦除速度:高达2ms
工作温度:-40°C至85°C
H27UCG8U5ATR是一款高性能的NAND闪存芯片,具备8GB的大容量存储能力。该芯片采用ONFI 2.3接口标准,支持高速数据传输,能够满足嵌入式系统和存储设备对数据读写速度的需求。H27UCG8U5ATR的TSSOP封装设计使其适合于紧凑型电子设备,提供可靠的物理连接和良好的散热性能。
该芯片的工作电压为3.3V,具有较低的功耗特性,适合于对功耗敏感的应用场景。H27UCG8U5ATR的读取速度可达50MB/s,写入速度可达20MB/s,擦除速度仅需2ms,具备快速的数据处理能力。此外,H27UCG8U5ATR的工作温度范围为-40°C至85°C,能够在各种环境条件下稳定工作,适用于工业级应用。
作为一款NAND闪存芯片,H27UCG8U5ATR具备良好的数据保持能力,能够在断电情况下长时间保存数据。其高可靠性和耐用性使其成为嵌入式系统、移动设备、存储卡和其他电子设备的理想选择。H27UCG8U5ATR的设计和制造工艺确保了其在复杂环境下的稳定性和耐用性。
H27UCG8U5ATR广泛应用于各种电子设备中,包括嵌入式系统、移动设备、存储卡、固态硬盘(SSD)、数码相机、MP3播放器、导航设备等。在嵌入式系统中,H27UCG8U5ATR可以作为主存储器,提供大容量的数据存储能力。在移动设备中,H27UCG8U5ATR可以作为内部存储,支持快速的数据读写操作。在存储卡和固态硬盘中,H27UCG8U5ATR可以提供高速的数据传输和稳定的性能。此外,H27UCG8U5ATR还可以用于工业控制、医疗设备、汽车电子等领域的数据存储和处理。
H27UCG8T2ATR,H27UCG8T2BTR