时间：2025/6/26 10:36:39
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V2R4B0201HQC250NAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等领域。该芯片采用先进的制程工艺制造，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，从而实现更高的效率和更低的功耗。此外，其出色的热性能和可靠性使得它在各种工业和消费类电子产品中表现出色。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，能够承受较高的电压和电流，同时提供极低的导通损耗，非常适合对效率要求较高的应用场合。
型号：V2R4B0201HQC250NAT
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源极击穿电压）：200V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
ID（连续漏极电流）：98A
Qg（栅极电荷）：30nC
EAS（雪崩能量）：1.7J
fmax（最大工作频率）：5MHz
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
V2R4B0201HQC250NAT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，能够有效减少导通损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关速度，降低了开关损耗，适合高频应用。
3. 高 VDS 击穿电压，确保在高压环境下稳定运行。
4. 高电流处理能力，支持大功率应用场景。
5. 强大的雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
6. 宽泛的工作温度范围，适用于极端环境条件下的操作。
7. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
V2R4B0201HQC250NAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器，包括降压和升压电路。
3. 电机驱动控制，例如电动车窗、电动工具等。
4. 负载开关，在各种电子设备中用于电源管理。
5. 工业逆变器和 UPS 系统。
6. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关设备。
7. 各种需要高效功率转换的消费类电子产品。
V2R4B0201HQC250NAX, IRF840, STP200N10F7
