您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SKM195GB063

SKM195GB063 发布时间 时间:2025/8/23 5:50:11 查看 阅读:91

SKM195GB063 是由富士电机(Fuji Electric)生产的一款IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于电力电子设备中,如变频器、电机驱动器和工业自动化系统。该模块具有高电流承载能力和低导通压降的特点,适合需要高效、高可靠性的功率转换应用。模块封装形式为双列直插式(PIM),集成了IGBT芯片和快速恢复二极管,提供良好的热管理和电气性能。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):600V
  最大集电极电流(IC):195A
  导通压降(VCE_sat):约1.55V(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装形式:PIM(双列直插式)
  安装方式:螺钉固定
  热阻(RthJC):约0.25°C/W
  输入电容(Cies):约1200pF
  短路耐受能力:5μs @ 150°C
  栅极驱动电压范围:±20V

特性

SKM195GB063 IGBT模块具有多项优异特性,适用于高要求的功率电子系统。
  首先,其高电压和大电流能力(600V/195A)使其能够应对中高功率变频器和电机控制应用中的高动态负载需求。模块内部采用优化设计的IGBT芯片,具有较低的导通压降(VCE_sat),从而降低了导通损耗,提高了系统整体效率。
  其次,该模块具备良好的热管理性能,热阻(RthJC)仅为0.25°C/W,有助于有效传导芯片产生的热量,提高长期工作的可靠性。此外,模块内部集成的快速恢复二极管在反向恢复过程中表现出较低的损耗和较高的稳定性,适用于高频开关应用。
  SKM195GB063 还具备良好的短路耐受能力,可在150°C工作温度下承受5μs的短路电流,增强了系统在异常情况下的鲁棒性。模块采用坚固的封装设计,具备良好的机械强度和电气绝缘性能,适用于工业环境中的严苛条件。
  此外,该模块的栅极驱动电路设计兼容性强,支持多种驱动电压配置,便于集成到不同控制平台中。其封装尺寸符合行业标准,便于替换和维护。

应用

SKM195GB063 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、电梯控制系统、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电机控制设备。由于其优异的电气和热性能,该模块也适用于需要高效率和紧凑设计的新能源汽车充电设备和电能质量调节装置。

替代型号

SKM195GB123, SKM200GB123, FGA25N120ANTD

SKM195GB063推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SKM195GB063资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

SKM195GB063产品