K175 时间：2025/7/23 1:06:04 阅读：9

K175是一种N沟道功率MOSFET，广泛用于高电压和高电流应用中。该器件由日本东芝公司生产，适用于开关电源、电机控制和音频放大器等电路。K175具有高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，能够承受较大的功率损耗。由于其优异的电气性能和可靠性，K175常用于工业控制、音响设备以及电源管理系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：900V
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220或TO-3P
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V 至 4V
　　输入电容（Ciss）：1800pF（典型值）

特性

K175作为一款高性能功率MOSFET，具备多项优良特性。首先，其最大漏极电压可达900V，适合高压环境下的应用，如开关电源和高压放大器。其次，导通电阻较低，使得在导通状态下功率损耗较小，提高了整体效率。此外，该器件的功率耗散能力达到150W，能够在较高温度下稳定工作，具有良好的热稳定性。
　　K175的封装形式为TO-220或TO-3P，便于散热和安装，适用于多种电路设计。同时，其输入电容较小，有助于减少开关损耗，提高响应速度。栅极阈值电压在2V至4V之间，确保了良好的驱动兼容性，适合与多种驱动电路配合使用。
　　在可靠性方面，K175经过严格的测试，具备较长的使用寿命，并能在恶劣环境下保持稳定工作。其广泛应用于音频功率放大器、开关电源、电机控制和工业自动化设备中。

应用

K175主要用于需要高电压和高电流处理能力的电路中，常见应用包括开关电源、逆变器、DC-DC转换器以及音频功率放大器等。在开关电源设计中，K175用于高边开关，能够有效提高电源转换效率。在音频设备中，它常用于功率放大电路，提供高质量的声音输出。此外，该器件也适用于电机驱动、LED驱动和工业控制系统中的功率开关电路。