时间：2025/9/1 18:27:26
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H5MS5162 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛用于需要高速存储和数据处理的应用中。该芯片具有较高的数据传输速率和较低的功耗，适用于工业、通信和消费类电子产品。
类型：DRAM
容量：16M x 16
电压：3.3V
封装：TSOP
频率：166MHz
数据速率：166MHz
数据总线宽度：16位
工作温度范围：-40°C至+85°C
H5MS5162 DRAM芯片具备高速数据传输能力，支持166MHz的工作频率，能够满足高性能系统的需求。其16M x 16的配置提供了256MB的存储容量，适合需要大量数据缓存的应用场景。
此外，该芯片采用低功耗设计，在保证性能的同时有效减少能耗，适用于对功耗敏感的设备。其TSOP封装形式不仅有助于提高封装密度，还能改善高频操作下的电气性能。
该芯片的工作温度范围宽广，支持-40°C至+85°C的操作环境，使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。同时，H5MS5162采用了CMOS工艺制造，具备良好的抗干扰能力和稳定性，确保数据在复杂环境下依然可靠。
另外，H5MS5162还支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够在不增加外部控制器负担的情况下维持数据完整性，延长系统的运行时间。
H5MS5162广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、图像处理设备以及消费类电子产品中，如数字电视、机顶盒、打印机和网络设备等。其高速性和低功耗特性使其成为需要高性能内存解决方案的理想选择。
HY57V641620BQ-6A, MT48LC16M16A2B4-6A
