时间：2025/8/23 14:34:29
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SKM150GM12T4G是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的IGBT模块，广泛应用于工业电力电子设备中。该模块集成了IGBT芯片和反并联二极管，采用高性能封装技术，适用于高功率密度和高可靠性的场合。其主要特点是高电流承载能力、低导通压降和良好的热性能。
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
额定集电极电流（IC）：150A
短路耐受能力：10μs
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
导通压降（VCE_sat）：约2.1V（典型值）
二极管正向电压（VF）：约1.7V（典型值）
封装形式：双列直插式封装（62mm x 130mm）
SKM150GM12T4G具备出色的电气性能和热稳定性，适用于各种高功率应用场景。其内部采用优化的芯片布局，降低了开关损耗和导通损耗，提高了系统效率。该模块还具备良好的短路保护能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行。此外，模块采用高绝缘等级的封装材料，确保在高电压环境下的安全运行。其结构设计有助于提高散热效率，延长使用寿命，并适应恶劣的工作环境。模块的引脚排列和封装尺寸符合行业标准，便于安装和替换。
SKM150GM12T4G广泛应用于变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备等高功率电力电子系统中。其优异的性能使其成为工业自动化、新能源和智能电网等领域的理想选择。
SKM150GB12T4G、SKM150GB12T4V1、SKM150GB12T4V1R
