晶体管类型：NPN双极型晶体管（BJT）
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：60V
　　最大集电极电流（Ic）：3A
　　最大功耗（Ptot）：50W
　　工作频率范围：100MHz - 500MHz
　　增益（hfe）：典型值为40
　　封装类型：TO-220AB
　　输出功率（典型值）：在225MHz下可达20W
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

MRF260晶体管具备优异的高频性能和高输出功率能力，使其成为射频放大器设计的理想选择。其NPN结构提供了良好的线性度和稳定性，适用于需要高增益和低失真的应用。此外，该器件采用了高耐压设计（最大Vce为60V），能够承受较高的电压应力，提高了系统的可靠性和耐久性。MRF260的封装形式为TO-220AB，便于安装在散热片上，以有效管理高功率操作时的热量。其工作温度范围宽（-65°C至+150°C），适用于各种严苛环境下的应用。该晶体管还具有良好的热保护性能，能够在高温环境下保持稳定工作，避免因过热而导致的性能下降或损坏。此外，MRF260在225MHz频率下可提供高达20W的输出功率，适合用于UHF频段的放大器设计。其典型增益为40，确保了信号在放大过程中保持较高的信噪比和低失真水平。这些特性使得MRF260在射频通信、广播设备、工业控制系统等领域中表现出色，是一种性能可靠的功率放大器元件。

MRF260广泛应用于射频功率放大器设计，特别是在高频通信设备、广播发射机、工业加热设备以及测试测量仪器中。由于其高输出功率和良好的线性度，MRF260常用于构建UHF频段的放大器，支持无线通信、广播和雷达等应用。此外，该晶体管也适用于需要高稳定性和高可靠性的工业控制和自动化系统中的射频模块设计。

MRF261, MRF262, MRF263