类别：智能功率模块 (IPM)
　　额定电压：600 V
　　额定电流：21 A
　　拓扑结构：半桥（Half Bridge）
　　芯片技术：IGBT4
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：SIP（Single In-line Package）
　　封装尺寸：标准21mm模块
　　短路耐受能力：6倍额定电流持续10μs
　　最大工作频率：20 kHz
　　栅极驱动电压：15 V / -5 V
　　隔离电压：2500 Vrms
　　热阻（Rth）：0.35 K/W
　　工作湿度：最大95% RH，无凝结

SKIIP21NAB063T30 是一款高性能的智能功率模块，采用了SEMIKRON先进的IGBT4芯片技术，具有优异的导通和开关性能。其集成的驱动电路能够有效控制IGBT的开关过程，降低开关损耗并提高系统的效率。模块内置过流、过温、欠压保护功能，确保在异常工作条件下能够及时关断，保护功率器件不受损坏。
　　该模块采用SIP封装结构，具有良好的散热性能和较高的功率密度，能够在较高的环境温度下稳定运行。其封装设计提供了较高的电气隔离能力（隔离电压达2500 Vrms），适用于各种高电压应用环境。此外，模块还具备良好的抗电磁干扰（EMI）能力，适合在工业环境中使用。
　　模块的安装方式简便，支持标准的螺钉安装，散热器与模块之间具有良好的热传导性能，能够有效降低系统整体的热阻。同时，模块内部采用了优化的布局设计，减少了寄生电感，提高了模块的动态性能和稳定性。

该模块广泛应用于工业变频器、伺服驱动器、电动汽车充电设备、太阳能逆变器、UPS不间断电源以及家电变频控制等领域。其高性能和高可靠性使其成为工业自动化和新能源应用中的理想选择。

SKiiP21NAB063T30FJ