时间：2025/9/2 11:23:20
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HY5DU281622ET-5 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于异步DRAM类型，具有16位数据总线宽度，容量为256K x16。该器件广泛用于需要中等容量存储的应用中，例如嵌入式系统、工业控制设备和通信设备等。HY5DU281622ET-5 的工作电压通常为5V，并采用TSOP（薄型小外形封装）封装形式，适用于表面贴装工艺。
容量：256K x16
数据总线宽度：16位
电压：5V
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
访问时间：5ns
封装引脚数：54
时钟频率：异步
HY5DU281622ET-5 是一款高性能的异步DRAM芯片，具有低功耗和高可靠性的特点。其异步操作方式使得其在没有时钟同步信号的情况下运行，简化了控制器的设计。该芯片支持快速的访问时间（5ns），能够满足对数据存取速度有一定要求的应用场景。
此外，该DRAM芯片采用CMOS工艺制造，具备良好的抗干扰能力和稳定性，适合在工业环境中使用。其TSOP封装不仅节省空间，还提高了封装密度，便于在高密度PCB设计中使用。该芯片的工作温度范围覆盖工业标准温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在各种环境条件下都能稳定运行。
HY5DU281622ET-5 适用于需要中等容量高速存储的应用场合，如网络设备、测试设备、图像处理系统以及工业自动化控制系统等。由于其成熟的制造工艺和广泛的行业应用基础，该芯片具有良好的兼容性和长期供货稳定性。
HY5DU281622ET-5 被广泛应用于需要中等容量存储的嵌入式系统和工业设备中。典型应用包括通信设备的缓存存储器、图像处理系统中的帧缓存、测试测量仪器的数据存储模块、工业控制系统的临时数据缓冲等。由于其异步接口特性，特别适合用于那些不需要高速同步时钟控制的系统中。
IS61LV25616-5T, CY62148EVLL-55ZS, A6216265P-5
