时间：2025/5/7 13:34:26
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NCV8775CDS50R4G 是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的汽车级N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用Trench工艺制造，具备低导通电阻和高开关速度的特点，专为需要高效能、小体积的应用而设计。其封装形式为DPAK（TO-263），能够承受较高的电流负载，并且适用于汽车电子领域中要求严苛的工作环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：38nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263（DPAK）
NCV8775CDS50R4G具有超低的导通电阻，可显著降低功率损耗，提高系统效率。同时，该器件还具备出色的热稳定性和抗浪涌能力，非常适合在汽车应用中的恶劣环境下运行。
其快速的开关特性和低栅极电荷使得它在高频应用中表现优异，例如DC-DC转换器和电机驱动器。
此外，由于采用了符合AEC-Q101标准的设计，NCV8775CDS50R4G能够在宽温范围内保持可靠的性能，确保了汽车应用的安全性与稳定性。
这款MOSFET主要应用于汽车电子领域，包括但不限于：
1. 车载充电机 (OBC) 和 DC-DC 转换器
2. 电动车窗、座椅调节等电机控制电路
3. 燃油泵和冷却风扇驱动
4. 汽车音响功放及照明系统
5. 各种高压负载切换场景
NCV8775CDS50R4GTR,
IRFB4110TRPBF,
FDP057AN,
STP50NF06L
