集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：25A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　短路耐受能力：典型值为10μs
　　封装类型：双列直插式（DIP）
　　安装方式：PCB 安装
　　导通压降（VCEsat）：约2.1V（典型值）
　　最大功耗（Ptot）：约60W
　　栅极驱动电压范围：-15V 至 +20V

SKDI26/10 是一款基于 IGBT 技术的高功率模块，具备优异的导通和开关性能。其主要特性包括高耐压能力（1200V）和较强的额定电流（25A），适用于多种中等功率的电力电子变换系统。该模块采用双列直插式封装，便于在 PCB 上安装和散热，同时具有良好的热稳定性和可靠性。
　　该模块内部集成了多个 IGBT 芯片，并联设计提升了整体的电流承载能力，同时具备较低的导通压降（VCEsat），有助于降低系统损耗。模块还内置了反并联二极管，能够有效处理反向电流，提高系统的效率和稳定性。
　　SKDI26/10 具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击，从而增强系统的鲁棒性。此外，该模块的栅极驱动电压范围较宽（-15V 至 +20V），便于与不同类型的驱动电路兼容，提升设计的灵活性。
　　由于其紧凑的封装和良好的热管理性能，SKDI26/10 在高功率密度应用中表现出色，尤其适用于需要较高效率和可靠性的工业设备。

SKDI26/10 常用于多种电力电子系统中，如变频器、伺服驱动器、UPS（不间断电源）、焊接电源、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统等。由于其具备较高的耐压能力和良好的导通特性，该模块特别适合用于需要中等功率输出的交流电机驱动和直流变换器中。此外，SKDI26/10 也广泛应用于电动工具、电焊机和小型风力发电系统的功率转换部分。

SKDI26/10 可以被 SKM25GB120D、FGA25N120D、FF25R12KE3 或类似的 1200V/25A IGBT 模块替代。具体替代型号应根据应用需求和电路设计进行评估。