型号：PM50RSE060
　　制造商：STMicroelectronics
　　类型：N沟道功率MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（最大值，@ Vgs = 10V, Id = 25A）
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A（@ Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：200A
　　功耗（Ptot）：300W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerFLAT（如H2PAK-2或类似）
　　栅极电荷（Qg）：120nC（典型值，@ Vds = 480V, Id = 50A）
　　输入电容（Ciss）：4500pF（@ Vds = 25V）
　　输出电容（Coss）：280pF（@ Vds = 25V）
　　反向恢复时间（trr）：25ns（典型值）
　　二极管正向电压（Vf）：1.6V（@ If = 50A）

PM50RSE060具备多项先进特性，使其在高功率密度和高效率电源系统中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，尤其在大电流应用中能有效提升整体系统效率。例如，在服务器电源或太阳能逆变器中，多个并联MOSFET常用于分担电流，而PM50RSE060的低Rds(on)不仅减少了发热，也简化了散热设计，从而缩小了散热器体积，有利于实现紧凑型设计。其次，该器件采用了优化的沟槽栅结构与场截止层技术，大幅降低了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），从而实现了更快的开关速度和更低的开关损耗。这对于高频开关电源（如LLC谐振转换器或有源钳位反激拓扑）至关重要，有助于提高开关频率，减小磁性元件体积。
　　此外，PM50RSE060具有出色的热稳定性与长期可靠性。其封装采用低热阻设计，确保热量能高效地从芯片传递到PCB或散热器，防止局部过热导致性能下降或失效。器件的结温最高可达150°C，并支持在高温环境下持续运行，适用于工业级和汽车级应用场景。其坚固的栅极氧化层设计可承受±20V的栅源电压，增强了对电压尖峰和噪声干扰的耐受能力，提高了系统的鲁棒性。同时，内置的体二极管具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和较短的反向恢复时间（trr），减少了在硬开关应用中因二极管反向恢复引起的损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统整体效率与EMI性能。
　　该器件还通过了严格的工业认证，符合RoHS和REACH环保标准，适用于绿色能源和高可靠性要求的应用场景。其高度集成的设计减少了外围元件数量，有助于降低系统成本并提高可靠性。综上所述，PM50RSE060凭借其低损耗、高可靠性和优异的热性能，成为现代高效率功率转换系统的理想选择。

PM50RSE060广泛应用于多种高功率、高效率的电力电子系统中。在工业电源领域，它常用于大功率开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流模块中，作为主开关或同步整流器件，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于DC-AC逆变桥臂，承担高电压和大电流的切换任务，其低开关损耗有助于提高逆变器的整体能效，尤其是在部分负载条件下表现优异。此外，在不间断电源（UPS）系统中，PM50RSE060被用于逆变器和电池充放电控制电路，确保在市电中断时能够快速响应并提供稳定的交流输出。
　　在电动交通领域，该器件适用于电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率级设计。其高耐压和高电流能力使其能够处理宽范围的输入电压，并在高功率密度要求下保持稳定运行。在电机驱动系统中，如工业变频器和伺服驱动器，PM50RSE060可用于构建三相逆变桥，驱动交流感应电机或永磁同步电机，其快速的开关响应和低导通损耗有助于实现精确的电机控制和节能运行。
　　此外，该器件也适用于高功率LED照明驱动电源、电信整流器、服务器和数据中心电源单元（PSU）等对效率和可靠性要求极高的场合。其良好的热管理和抗干扰能力确保了长时间稳定运行，减少了维护成本。总之，PM50RSE060凭借其卓越的电气性能和可靠性，已成为现代高功率电子系统中不可或缺的核心元件之一。

STW50N60DF
　　IPW60R050CFD
　　FQP50N60C
　　IRFP4668