容量：4Gbit
　　存储类型：NAND Flash
　　封装类型：TSOP
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　接口：ONFI 1.0兼容
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达12MB/s

H5AN4G4NAFR-TFC NAND闪存芯片具有多项显著特性，使其在各类应用中表现出色。首先，它具备高存储密度，单颗芯片可提供4GB的存储容量，适用于需要大容量存储但空间受限的设备。其次，该芯片采用ONFI 1.0标准接口，支持高速数据传输，读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高可达12MB/s，满足了对数据处理速度有较高要求的应用场景。
　　此外，H5AN4G4NAFR-TFC的工作温度范围为-40°C至+85°C，具备良好的环境适应性和稳定性，适用于工业级和车载级应用。芯片内部采用ECC（错误校正码）技术，可自动检测和纠正数据错误，提高数据存储的可靠性和数据完整性。同时，该芯片支持坏块管理功能，能够在制造过程中或使用过程中识别并跳过坏块，确保系统的稳定运行。
　　在功耗方面，H5AN4G4NAFR-TFC具有低功耗设计，适用于电池供电设备和对能效要求较高的应用。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间，并提供良好的散热性能。

H5AN4G4NAFR-TFC NAND闪存芯片适用于多种电子设备和系统，如智能手机、平板电脑、数码相机、便携式媒体播放器等消费类电子产品。此外，它还可用于工业控制系统、车载导航系统、安防监控设备、智能卡和物联网（IoT）设备等对存储性能和可靠性有较高要求的领域。由于其宽温工作范围和高可靠性，特别适合用于工业和汽车应用中的数据存储解决方案。

H5AN4G4NAFR-TFC的替代型号包括H5AN4G4NDFR-TFC（同样由SK Hynix生产，功能相似）以及来自其他厂商的兼容型号，如K9F4G08U0C-PCB0（由三星生产）和TC58NVG2S0HFTG0（由东芝生产）。这些替代型号在容量、接口和性能方面与H5AN4G4NAFR-TFC相近，可作为备选方案进行替换使用。