类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在25°C下）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（最大值，典型值为3.8mΩ）
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

SK95D08 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高效率；高电流处理能力，使其适用于高功率应用场景；具备较高的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定工作；采用了先进的沟槽栅极结构，提高了器件的开关速度和性能；此外，其封装形式（TO-247）提供了良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。
　　该器件还具有良好的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其高栅极绝缘性能确保了在高压应用中的可靠性，同时降低了栅极漏电流的风险。SK95D08 还具备较低的栅极电荷（Qg），这有助于减少开关损耗并提高整体效率。此外，该MOSFET具有较宽的工作温度范围，适用于各种严苛环境下的工业和汽车应用。

SK95D08 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统、太阳能逆变器以及电动汽车的功率模块。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为高效率电源设计的理想选择。此外，该器件也适用于工业自动化设备、电源供应器以及各种需要高功率密度和高可靠性的电子系统。
　　在汽车电子领域，SK95D08 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车载逆变器以及其他车载功率管理系统。其优异的热稳定性和抗干扰能力使其在汽车环境中的高温和高振动条件下依然能够稳定运行。

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