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FTR-C1CA003G-01 发布时间 时间:2025/9/22 16:06:36 查看 阅读:16

FTR-C1CA003G-01是富士通(Fujitsu)公司生产的一款高性能、低功耗的铁电随机存取存储器(FRAM,Ferroelectric Random Access Memory)芯片。该器件结合了传统RAM的高速读写能力与非易失性存储器的数据保持特性,能够在断电情况下长期保存数据,同时具备极高的读写耐久性,远超传统的EEPROM和闪存技术。FTR-C1CA003G-01采用先进的铁电材料作为存储介质,其核心存储单元基于专利的铁电电容技术,实现无电荷损耗的数据写入机制,从而显著降低写入功耗并提升写入速度。该芯片广泛应用于需要频繁写入、高可靠性及低功耗特性的工业控制、医疗设备、智能仪表、汽车电子以及物联网终端等场景中。FTR-C1CA003G-01封装小巧,便于集成于空间受限的设计中,并支持标准串行外设接口(SPI),简化了与微控制器的连接和通信协议实现。此外,该器件工作温度范围宽,适应严苛环境下的稳定运行,是一款理想的非易失性存储解决方案。

参数

型号:FTR-C1CA003G-01
  制造商:Fujitsu
  存储容量:4 Mbit (512 K × 8)
  接口类型:SPI(串行外设接口)
  工作电压范围:2.7V 至 3.6V
  最大时钟频率:50 MHz
  写入耐久性:10^14 次写入周期
  数据保持时间:10 年 @ 85°C
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:SOP-8
  组织结构:524,288 字节 × 8 位
  写入时间:近乎即时(无写入延迟)
  待机电流:< 10 μA
  工作电流:< 5 mA @ 50 kHz
  非易失性:是,无需备用电源

特性

FTR-C1CA003G-01的最大特性之一是其卓越的写入耐久性,可支持高达10^14次的读/写操作,远高于传统EEPROM通常仅10^5至10^6次的寿命限制。这意味着在需要频繁记录传感器数据、日志信息或配置参数的应用中,该芯片几乎不会因写入次数过多而失效,极大提升了系统的可靠性和使用寿命。此外,由于其采用铁电原理进行数据存储,写入过程无需像闪存那样进行擦除操作,因此不存在块擦除或页写入的限制,支持字节级的随机写入,且写入速度极快,几乎与读取操作相当,显著提升了系统响应效率。
  另一个关键优势是其低功耗特性。FTR-C1CA003G-01在写入时不需要升压电路来产生高编程电压,因此写入电流远低于EEPROM或Flash,有助于延长电池供电设备的工作时间。同时,其快速写入能力减少了处理器等待时间,进一步降低了整体系统能耗。该芯片还具备出色的数据保持能力,在85°C高温环境下仍能保证10年以上的数据完整性,适用于高温工业环境或汽车应用。此外,其SPI接口兼容性强,支持标准的Mode 0和Mode 3通信协议,易于与各种主流MCU对接,软件开发简单,缩短产品开发周期。
  FTR-C1CA003G-01还具备高抗干扰能力和良好的辐射耐受性,适合用于医疗设备、航空航天及工业自动化等对数据安全要求极高的领域。其SOP-8封装形式成熟可靠,便于自动化贴装和回流焊接,适合大规模生产。总体而言,该芯片在性能、可靠性、功耗和易用性方面达到了高度平衡,是替代传统非易失性存储器的理想选择。

应用

FTR-C1CA003G-01广泛应用于多个对数据写入频率高、系统可靠性要求严苛的领域。在工业自动化系统中,常用于PLC控制器、远程I/O模块和传感器节点中,用于实时记录设备状态、故障日志和校准参数,其高耐久性和快速写入能力确保了数据采集的连续性和完整性。在智能电表、水表和燃气表等计量设备中,该芯片用于存储累计用量、事件记录和时间戳信息,即使在频繁抄表和断电重启的情况下也能保证数据不丢失,满足严格的计量标准要求。
  在医疗电子设备中,如便携式监护仪、血糖仪和输液泵等,FTR-C1CA003G-01用于存储患者数据、操作日志和设备配置信息,其非易失性和高可靠性保障了医疗数据的安全性和合规性。在汽车电子系统中,可用于车载记录仪、ECU参数存储和车窗控制模块,适应车辆启动/停止过程中的电压波动和宽温工作环境。此外,在物联网终端设备中,如无线传感器网络节点和RFID读写器,该芯片为边缘计算数据缓存和配置存储提供了高效的解决方案,尤其适合使用电池或能量采集供电的低功耗应用场景。其SPI接口也使其能够轻松集成到基于ARM Cortex、RISC-V或8位/16位MCU的嵌入式系统中,广泛适用于各类嵌入式控制系统。

替代型号

CY15B104QSN

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