类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：650V
　　最大漏极电流(ID)：8A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值0.45Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷(QG)：典型值26nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220
　　配置：单通道

SK8DGDL065ET具有多项先进特性，首先，其低导通电阻确保在高电流工作时减少功率损耗，提高系统效率。
　　其次，该器件的栅极电荷较低，有助于实现快速开关动作，从而降低开关损耗，适用于高频开关应用。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，提高了整体系统的可靠性。
　　其采用的沟槽栅极技术增强了电流控制能力，同时场截止技术优化了电场分布，提高了器件的击穿电压稳定性。
　　TO-220封装形式具备良好的散热性能，适合在高功率应用中使用，并且易于安装在标准散热片上。
　　最后，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，符合现代电子产品的环保要求。

SK8DGDL065ET广泛应用于多种电力电子系统中，例如：
　　1. 工业电源和DC-DC转换器：用于高效能电源转换系统，提升能量利用率。
　　2. 电机驱动和变频器：适用于控制电机速度和扭矩的系统，如伺服驱动器和电动工具。
　　3. 太阳能逆变器：在光伏系统中作为关键开关元件，提高逆变效率。
　　4. 电池管理系统：用于电池充放电控制电路，实现高效能管理。
　　5. 家用电器：如空调、洗衣机等需要高效功率控制的设备中。
　　6. 服务器和电信电源：在高可靠性、高效率电源模块中提供稳定的功率开关性能。

IPD65R450CFD, FQP8N65C, STF8NM65N, TK8A65W, TK8A65S