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MUBW30-12E6K 发布时间 时间:2023/10/27 16:03:58 查看 阅读:144

类别:半导体模块

目录

概述

类别:半导体模块
家庭:IGBTs
IGBT 类型:-
配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):3.6V @ 15V, 30A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):30A
电流 - 集电极截止(最大):1mA
Vce 时的输入电容 (Cies):1.18nF @ 25V
功率 - 最大:130W
输入:三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装
封装/外壳:E1

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MUBW30-12E6K参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 配置三相反相器,带制动器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.6V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)30A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)1.18nF @ 25V
  • 功率 - 最大130W
  • 输入三相桥式整流器
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳E1
  • 供应商设备封装E1