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AOSP66925 发布时间 时间:2025/5/8 18:14:26 查看 阅读:4

AOSP66925是一款高性能的降压型直流-直流转换器芯片,采用先进的CMOS工艺制造,具有高效率和小尺寸的特点。该芯片适用于便携式设备、消费类电子产品以及需要高效电源管理的场合。
  其内置功率MOSFET可以提供高达3A的连续输出电流,并且能够保持良好的负载和线性调整率。通过外部补偿设计,用户可以根据具体应用需求优化环路响应特性。

参数

输入电压范围:2.7V - 5.5V
  输出电压范围:0.8V - VIN
  输出电流:最高3A
  工作频率:2MHz
  启动时间:小于1ms
  关断电流:小于1uA
  封装形式:QFN 3x3mm

特性

AOSP66925支持宽范围的输入电压,使其能够兼容单节锂电池或多节碱性电池供电的应用场景。
  它具备快速瞬态响应能力,能够有效抑制输出电压波动。
  芯片内部集成软启动功能,可防止上电时产生过大的浪涌电流。
  此外,AOSP66925还具有过流保护、过温保护等多重安全机制,确保在异常情况下系统稳定运行。
  由于其高效的电源转换效率(高达95%),可以显著延长电池续航时间。

应用

该芯片广泛应用于智能手机和平板电脑的电源管理模块中。
  也可以用于蓝牙耳机、智能手环以及其他便携式电子产品的核心供电电路。
  另外,在物联网设备中,如无线传感器节点或小型嵌入式控制器中也有较多使用案例。

替代型号

AP66925L, RT66925

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AOSP66925参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥2.73079卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT2?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12.5 毫欧 @ 11A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)33 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1590 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)