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HM65256BLFPJ-12T 发布时间 时间:2025/9/7 11:02:10 查看 阅读:5

HM65256BLFPJ-12T是一款由Hittite Microwave Corporation(现为Analog Devices的一部分)制造的高性能、低功耗的256K位(32K x 8)静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具备高速访问时间和低功耗特性,适用于各种需要高速数据存储和处理的电子系统。

参数

容量:256 Kbit
  组织方式:32K x 8
  电源电压:3.3V 或 5V 可选
  访问时间:12ns
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:52引脚 TSOP
  功耗:典型待机电流 < 10mA
  输入/输出电平:兼容TTL/CMOS

特性

HM65256BLFPJ-12T SRAM芯片具有多个显著的特性,适合广泛的应用环境。
  首先,其高速访问时间为12纳秒,能够满足高速数据存取的需求,适用于实时系统和高性能计算设备。
  其次,该芯片支持3.3V或5V的电源电压,具有良好的电源兼容性,便于在不同系统中集成。
  此外,HM65256BLFPJ-12T具有低功耗特性,在待机模式下的电流消耗低于10mA,适用于对功耗敏感的应用场景。
  其工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)确保了在各种恶劣环境条件下的稳定运行,适用于工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
  封装形式为52引脚TSOP,节省空间且便于表面贴装,适合高密度PCB设计。
  最后,该芯片的输入/输出电平兼容TTL和CMOS标准,提高了与其他数字电路的兼容性。

应用

HM65256BLFPJ-12T广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的系统中,如嵌入式控制系统、数据采集设备、工业自动化设备、通信模块、网络设备、测试仪器和消费类电子产品等。

替代型号

IS62WV2568BLL-12BLLI、CY7C199-12VC、IDT71V016S、AS6C256A-12TCN

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