时间：2025/8/25 0:10:10
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HUF76145 是由 Vishay Siliconix 推出的一款高功率、高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高电流、高效率的电源管理系统，例如电源转换器、DC-DC 转换器以及电机控制电路中。这款 MOSFET 设计用于在高频率下运行，具有低导通电阻（Rds(on)）和良好的热性能，以支持高功率密度的应用需求。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：30V
最大栅源电压 (Vgs)：20V
最大连续漏极电流 (Id)：110A
导通电阻 (Rds(on))：2.7mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
HUF76145 的核心特性之一是其极低的导通电阻，确保了在高负载电流下的最小功率损耗和发热。该器件采用了先进的沟槽技术，优化了导通和开关性能，同时减少了开关损耗，使其非常适合高频操作环境。此外，该 MOSFET 具有较高的电流处理能力，额定连续漏极电流为 110A，适用于大功率应用。HUF76145 采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热管理和散热性能，便于在 PCB 上安装和使用。
在可靠性方面，HUF76145 设计有较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下提供稳定的性能。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的工作电压，增强了其在不同驱动电路中的适用性。这些特性使得 HUF76145 成为高效率电源转换系统中的理想选择。
HUF76145 主要用于需要高电流和高效率的电源管理应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制器、电池管理系统以及服务器和电信设备中的电源模块。由于其高功率密度和良好的热性能，该 MOSFET 在电动汽车（EV）充电系统、工业自动化设备和高性能计算系统中也得到了广泛应用。此外，它也适用于负载开关和电源管理单元中的高边或低边开关应用。
IRF1405, SQD160EN, FDS6680, SiR144DP
