晶体管类型：NPN/PNP 阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：16 引脚 SOIC 或 TSSOP

29633DMB 的主要特性之一是其集成化设计，内部包含多个晶体管单元，这些晶体管具有相同的电气特性，非常适合需要多路信号处理的应用场景。每个晶体管都具备标准的 VCEO 耐压能力为 50V，能够在大多数中低电压应用中稳定运行。此外，该器件的单个晶体管最大集电极电流为 100mA，足以满足一般信号放大和开关控制的需求。
　　在热管理和可靠性方面，29633DMB 的总功耗为 300mW，适用于常见的表面贴装工艺。其宽广的工作温度范围（从 -55°C 到 +150°C）使其可以在各种严苛环境条件下使用，包括工业自动化、汽车电子和消费类电子产品。
　　封装方面，29633DMB 提供了 16 引脚的 SOIC 和 TSSOP 封装选项，这两种封装形式都具有良好的机械强度和电气性能，适合高密度 PCB 设计。由于采用标准的 CMOS 工艺制造，这款晶体管阵列还具有较低的静态电流消耗和较高的抗干扰能力。

29633DMB 广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要多个独立晶体管但空间受限的设计中表现出色。例如，在通信设备中，它可用于构建多通道信号放大器或接口驱动电路；在工业控制系统中，可以作为小型继电器或传感器的开关元件；而在音频设备中，则能胜任前置放大器或音量控制模块的设计需求。
　　此外，该器件也常被用于逻辑电平转换、LED 显示驱动、电机控制以及电源管理等场合。由于其具备一定的耐压能力和电流输出能力，因此也非常适合用作微控制器外围电路中的通用开关元件。无论是嵌入式系统还是便携式设备，29633DMB 都能提供可靠且高效的解决方案。

ULN2003A, 29634DMB, LM339