类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：75A
　　短路耐受能力：有
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　安装方式：通孔安装
　　热阻（RthJC）：典型值0.35K/W
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

SK75GD12T4ETE2 模块具备低饱和压降和高开关性能，使其在高频工作条件下依然能保持较高的效率。该模块采用了Semikron的先进芯片技术，具有优异的热管理和短路保护能力，从而提高了系统的可靠性和寿命。此外，其优化的封装结构使得模块的电感更低，有助于减少开关过程中的电压尖峰，提高系统稳定性。
　　该模块还具有良好的绝缘性能和耐压能力，确保在恶劣工作环境下依然能够安全运行。其内置的反并联二极管采用了快速恢复技术，能够有效减少反向恢复损耗，提升整体效率。此外，SK75GD12T4ETE2 还具有良好的可焊性和安装便利性，适用于自动化的生产流程，降低了制造成本。
　　模块的内部设计考虑了电磁兼容性（EMC）问题，通过优化的布局和屏蔽措施，减少了电磁干扰（EMI），提高了系统的兼容性。同时，该模块还具有较高的抗震性和耐湿性，适用于工业环境中的各种应用场景。

SK75GD12T4ETE2 主要用于各种电力电子设备中，如变频器、伺服驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等。在工业自动化领域，该模块可以用于高性能电机控制系统的功率部分，提供稳定可靠的电能转换能力。在可再生能源系统中，该模块可用于光伏逆变器和风力发电变流器中，实现高效的能量转换。此外，该模块还可应用于轨道交通和电动汽车领域，作为牵引变流器和充电模块的关键功率器件。

SKM75GB12T4E