时间：2025/7/23 3:09:31
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STL260N3LLH6 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，专为高效率功率转换应用而设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于汽车、工业控制、电源管理和DC-DC转换器等高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：150A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大3.7mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6 mm2
STL260N3LLH6 具有低导通电阻（Rds(on)），显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其先进的沟槽栅极设计提供了更优的开关性能，减少了开关损耗。该MOSFET具备高电流承载能力，能够支持高达150A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于严苛的工作环境，如汽车和工业应用。
器件采用PowerFLAT 5x6 mm2封装，具备良好的热管理能力，确保在高负载条件下的稳定运行。该封装还支持表面贴装技术（SMT），简化了PCB布局并提高了生产效率。STL260N3LLH6 还具备出色的雪崩能量耐受能力，增强了器件在极端工作条件下的可靠性。此外，其栅极驱动电压兼容性强，支持标准10V至12V的驱动电压，适用于多种栅极驱动电路设计。
STL260N3LLH6 常用于高性能电源转换系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统和负载开关。在汽车电子领域，该器件适用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、启停系统等应用，提供高效可靠的功率控制。工业应用中，该MOSFET可用于变频器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备和高功率LED照明系统。此外，它还可用于消费类电子产品中的高功率密度电源模块，如高端笔记本电脑适配器和游戏主机电源。
IPB013N04NG、SiZ120DT、FDMS86181、BSC010N04LS
