SK55D08 时间：2025/8/23 8:25:50 阅读：22

SK55D08 是一款由深圳市虹美功率半导体有限公司（HOMSEMI）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高性能电源管理应用而设计，具备低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热稳定性，适用于各类电源转换器、电机驱动器、DC-DC转换器、电池管理系统和负载开关等场景。SK55D08采用常见的TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的散热性能和较高的可靠性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：80V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：55A（在Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：最大8.8mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

SK55D08具备出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)值为7.5mΩ，最大不超过8.8mΩ，这使得其在高电流应用场景中表现出色。
　　此外，SK55D08具有较高的电流承载能力，在Tc=25℃条件下可连续通过55A的漏极电流，适用于中高功率电源系统。其栅极驱动电压范围为±20V，标准工作电压为10V，具备良好的栅极稳定性与抗干扰能力。
　　SK55D08采用了优化的硅片设计和先进的封装技术，具备良好的热稳定性与散热性能，能够在较宽的温度范围内稳定工作，工作温度范围为-55℃至+150℃，满足工业级和车载级应用的严苛要求。
　　在可靠性方面，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，可有效防止因瞬态过压或负载突变导致的器件损坏，提升了系统的稳定性和寿命。

应用

SK55D08广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化控制设备、通信电源模块以及汽车电子系统等。
　　在DC-DC转换器中，SK55D08作为主开关器件，能够有效降低导通损耗，提高转换效率，尤其适用于同步整流拓扑结构；在电机驱动系统中，该器件可用于H桥结构中的高低边开关，提供高效率和快速响应能力；在电池管理系统中，SK55D08常用于电池充放电控制和保护电路，确保电池组的安全运行。
　　此外，SK55D08还可用于电源管理模块中的热插拔控制、电源分配系统和智能功率开关等应用。其高可靠性和良好的热性能使其在高温环境下也能保持稳定运行，适用于对稳定性和效率要求较高的工业和车载场合。