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AON6908A 发布时间 时间:2025/6/14 11:11:15 查看 阅读:4

AON6908A是东芝(Toshiba)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型SOP封装,广泛用于开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用中。其低导通电阻和快速开关性能使其成为高效率功率管理的理想选择。
  这款MOSFET适用于需要高性能和高可靠性的电路设计。由于其出色的电气特性,AON6908A在消费电子、工业设备以及通信设备等领域得到了广泛应用。

参数

漏源极电压(Vdss):30V
  连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ
  栅极电荷(Qg):7nC
  输入电容(Ciss):1040pF
  最大功耗(Ptot):1.8W
  工作温度范围(Ta):-55℃ to +150℃

特性

AON6908A具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗并提高系统效率。
  2. 高额定电流能力(Id),能够满足大功率应用场景的需求。
  3. 快速开关速度,减小了开关损耗。
  4. SOP封装形式,便于PCB布局与安装。
  5. 良好的热稳定性,适合在宽温度范围内工作。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  AON6908A的这些特性使其成为现代高效能电子设备中的关键元件。

应用

AON6908A的主要应用领域包括:
  1. 开关电源(Switching Power Supply)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 电池保护电路
  5. 消费类电子产品中的负载开关
  6. 工业控制设备中的功率管理模块
  其优异的性能表现使得它在各种需要高效功率切换的应用中表现出色。

替代型号

AOD418A, IRFZ44N, FDP5500

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AON6908A参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 N 沟道(双)非对称型
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.5A,17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.9 毫欧 @ 11.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1110pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.9W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(5x6)
  • 包装带卷 (TR)