时间：2025/12/27 3:13:59
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M58LR256KB70ZC5E是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能、低功耗CMOS 32兆位（32Mb）串行NOR闪存器件，采用先进的闪存技术制造。该芯片专为需要高密度非易失性存储的应用而设计，支持快速读取和可靠的代码存储能力。其容量为32兆位，等效于4兆字节（MB），组织结构为按字节或字访问的存储阵列。该器件广泛应用于嵌入式系统中，如工业控制、消费类电子、网络设备和汽车电子等领域，适合用于存储启动代码（Boot Code）、固件（Firmware）和配置数据等关键信息。M58LR256KB70ZC5E支持标准的SPI（串行外设接口）和双重/四重SPI模式，能够在高速时钟频率下实现高效的数据传输，满足现代系统对快速启动和实时响应的需求。该器件的工作电压范围为2.7V至3.6V，确保在宽电源条件下稳定运行，并具备多种节能模式以优化系统功耗。此外，该芯片集成了写保护机制、状态寄存器锁定功能以及硬件/软件写保护选项，有效防止意外写入或擦除操作，保障数据完整性与系统可靠性。封装形式为小型化的8引脚SOIC或WSON，适用于空间受限的应用场景。产品符合RoHS环保要求，并通过了严格的工业级温度范围验证（-40°C至+85°C），可在恶劣环境下长期稳定工作。
制造商：STMicroelectronics
产品系列：M58LR
存储容量：32 Mbit
存储器类型：NOR Flash
存储器格式：非易失性
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ +85°C
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
引脚数：8
读取时间：70ns
接口类型：SPI, QPI
最大时钟频率：50MHz
编程时间：100μs/byte
擦除时间：1s/sector
组织结构：4M x 8 bits
输入/输出电压：兼容3.3V和1.8V逻辑电平（通过电压转换器）
M58LR256KB70ZC5E具备多项先进特性，使其成为高可靠性嵌入式存储应用的理想选择。首先，该器件采用高性能的存储架构，支持快速随机读取访问，典型读取时间为70纳秒，能够满足微控制器或处理器在上电后快速加载引导代码的需求，显著缩短系统启动时间。其次，它支持标准SPI接口以及双重SPI（Dual SPI）和四重SPI（Quad SPI）模式，在四线传输模式下可大幅提升数据吞吐率，有效降低总线占用并提升整体系统效率。该芯片内置一个灵活的存储块架构，包含多个可独立擦除的扇区（Sector）和块（Block），允许用户进行精细粒度的数据管理与更新操作，特别适用于需要频繁更新部分固件而不影响其他数据的应用场景。
在可靠性方面，M58LR256KB70ZC5E具备出色的耐久性和数据保持能力，支持至少10万次的编程/擦除周期，并能保证数据在断电情况下保存长达20年。器件内部集成完整的写保护机制，包括软件写保护、硬件写保护引脚（WP#）以及状态寄存器锁定功能，防止因误操作或电源波动导致的关键数据丢失或损坏。此外，该芯片支持全芯片擦除和逐扇区擦除命令，提供灵活的擦除选项以适应不同应用场景。
低功耗设计是该器件另一大亮点。除了正常工作模式外，还提供待机模式和深度掉电模式（Deep Power-down Mode），在待机模式下电流消耗仅为几微安，在深度掉电模式下可进一步降至1μA以下，极大延长了电池供电设备的续航时间。同时，器件具有良好的抗干扰能力和ESD保护性能，增强了在复杂电磁环境中的稳定性。所有操作均通过一组完整的指令集控制，兼容JEDEC标准命令协议，便于开发人员进行驱动开发与系统集成。
M58LR256KB70ZC5E广泛应用于各类需要可靠、高速非易失性存储的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、HMI人机界面、工业网关等设备中存储操作系统映像、配置参数和校准数据；在消费类电子产品中，被应用于智能电视、机顶盒、路由器和智能家居控制器中作为启动闪存，用于存放BIOS或Bootloader程序；在网络通信设备如交换机、路由器和基站模块中，该芯片可用于存储固件镜像和运行日志，支持远程升级和故障诊断；在汽车电子方面，适用于车载信息娱乐系统（IVI）、ADAS辅助驾驶模块和车身控制单元（BCM），满足车规级对温度和可靠性的严苛要求；此外，在医疗设备、测试仪器和物联网终端节点中也有广泛应用，因其小尺寸封装和低功耗特性，非常适合便携式和嵌入式设备使用。该芯片还可与各种主流微控制器（MCU）、数字信号处理器（DSP）和片上系统（SoC）配合使用，构建高效的嵌入式存储子系统。
M25P32
EN25Q32B
W25Q32JV
SST25VF032B
