PQ1K503M2ZP 时间：2025/8/28 8:51:49 阅读：14

PQ1K503M2ZP 是罗姆（Rohm）公司生产的一款N沟道功率MOSFET，适用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。该MOSFET采用了先进的沟槽栅极工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够在高电流条件下稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：30mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSMT6（热增强型6引脚TSOP）

特性

PQ1K503M2ZP 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），在4.5V栅极驱动电压下仅为30mΩ，这有助于降低导通损耗并提高电源效率。该MOSFET采用了高密度沟槽结构，能够在小尺寸封装中实现高性能的电流处理能力。
　　另一个显著特性是其热增强型TSMT6封装设计，有效提升了散热能力，使得器件在高负载工作条件下依然保持稳定运行。此外，PQ1K503M2ZP 的栅极驱动电压范围适中（典型为4.5V至12V），兼容常见的逻辑电平驱动电路，便于在多种应用中使用。
　　该器件还具备优异的开关特性，包括快速的上升和下降时间以及低栅极电荷（Qg），从而降低了开关损耗，使其适用于高频开关电源应用。此外，PQ1K503M2ZP 具备良好的抗雪崩能力和高可靠性，适合在工业级环境中长期运行。

应用

PQ1K503M2ZP 主要用于需要高效能和小尺寸设计的电源管理应用，例如便携式电子设备的电源开关、DC-DC降压或升压转换器、同步整流电路以及电池供电系统的负载控制。其高效率和小封装优势也使其适用于汽车电子系统中的低电压电源管理模块。
　　此外，该MOSFET还可用于LED驱动电路、电机控制电路以及各种需要低Rds(on)和高可靠性的开关应用场景。在需要高能效和紧凑设计的现代电子系统中，PQ1K503M2ZP 是一种理想的功率开关选择。