时间：2025/12/29 10:00:40
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PM104SH-100-RC是一款由STMicroelectronics生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了卓越的导通性能和开关特性。其封装形式为TO-247，便于散热并适用于各种工业标准电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：104A
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ
功率耗散：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
PM104SH-100-RC具有低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著减少功率损耗并提高效率。其高耐压特性使其适用于需要高稳定性和可靠性的电源系统。
该器件还具有优异的热性能，TO-247封装能够有效散热，防止因过热而导致的性能下降或损坏。
此外，PM104SH-100-RC具备良好的开关特性，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和逆变器系统。
其栅极设计支持广泛的驱动电压范围，增强了与不同控制电路的兼容性，并降低了开关损耗。
由于其坚固的设计和优异的电气性能，PM104SH-100-RC广泛应用于工业自动化、电动汽车、可再生能源系统等领域。
该MOSFET主要用于电源管理系统、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、电池充电器、太阳能逆变器以及工业自动化设备等高功率电子系统中。
IRF1404, STP100N10F7, FDP100N10
